深紫外（DUV）レーザー世界市場レポート：主要企業、ランキング、成長予測2026-2032

深紫外（DUV）レーザー世界総市場規模
深紫外（DUV）レーザーとは、電磁波スペクトルの深紫外領域の光を放射するレーザーの一種である。当該領域の波長は概ね 100 ナノメートル（nm）から 300 ナノメートル（nm）の範囲にある。このスペクトル領域は、可視光領域及び近紫外領域よりも短波長であるため、「深紫外」と呼称される。深紫外（DUV）レーザーは、科学、産業、技術の各分野において多様な用途を有する。
 
図.深紫外（DUV）レーザーの製品画像

 
図. 深紫外（DUV）レーザー世界総市場規模

市場規模：成長予測と収益構造

QYResearch調査チームの「2026～2032年グローバル深紫外（DUV）レーザー市場レポート」によれば、DUVレーザー市場は2025年から2031年の予測期間中に年平均成長率（CAGR）9.0%という堅調な成長が見込まれており、2031年には世界市場規模が16.78億米ドルに達すると予測されている。これは、半導体生産装置全体の成長動向と整合しつつ、特に露光光源としてのDUVレーザーの需要が引き続き強いことを示している。なお、外部調査によると、DUVリソグラフィ装置市場全体でも2024年に約154億米ドルの規模と評価され、2031年には約237億米ドルまで拡大するという予測も出ており、高い設備投資と成熟ノード向け露光需要が背景にある。こうした市場規模の拡大は、ASICやパワー半導体、センサー、車載エレクトロニクスなど多様な用途でDUV技術の重要性が増していることを反映している。
 

深紫外（DUV）レーザーの市場成長を促進する3つの要因

第一に、半導体デバイスの微細化と高集積化の継続的な進行である。ロジック半導体においては3nm、2nm世代以降の量産が進む中、ArF液浸露光技術と多重パターニングの組み合わせにより、光学限界を超える微細加工が実現されている。また、メモリデバイスにおいても、DRAMの微細化、3D NANDの多層化に伴い、深紫外レーザーを用いた高精度な露光・加工工程の需要が底堅く推移している。半導体産業全体の成長とともに、露光装置メーカーやレーザーメーカーに対する継続的な設備投資が行われている。

第二に、先進パッケージング（3D実装、チップレット統合）における微細加工需要の拡大である。半導体の微細化が物理的限界に近づく中、チップを積層・接合する先進パッケージング技術の重要性が増している。シリコンインターポーザのビア加工、再配線層（RDL）形成時の露光、ウェーハ裏面の薄型化に伴うレーザー切断などにおいて、深紫外レーザーは高精度かつ低ダメージな加工を可能にする光源として採用が拡大している。

第三に、スマートフォン、タブレット、ウェアラブルデバイスなど民生機器における高機能化とフレキシブル基板の需要増加である。高密度実装が進むプリント配線板（PCB）や、折りたたみ型スマートフォンに代表されるフレキシブルプリント基板（FPC）の微細穴あけ、外形加工、パターン形成において、熱影響部（HAZ）が小さく、微細加工が可能な深紫外レーザー（特にエキシマレーザーや全固体深紫外レーザー）の採用が拡大している。
 
深紫外（DUV）レーザーの将来における3つの発展機会

第一に、波長193nm以下の短波長化と極端紫外（EUV）との補完的関係である。半導体露光において、現行のArF液浸露光（193nm）に代わる次世代技術として波長13.5nmのEUV露光が先端ロジックで量産化されているが、コストや生産性の観点から、メモリやパワー半導体、アナログデバイスなどでは引き続きArF液浸やKrF露光が主力であり、深紫外レーザーはEUVと共存しつつ、半導体製造全体における重要な役割を担い続ける。さらに、波長が短く高輝度な固体深紫外レーザー（例えば波長193nmの全固体レーザー）の実用化が進めば、エキシマレーザーからの置き換えや新たな応用創出が期待される。

第二に、次世代パワー半導体（SiC、GaN、ダイヤモンド）の高効率加工技術としての確立である。シリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体は、その硬度と化学的安定性から従来の機械加工や赤外レーザー加工が困難である。深紫外レーザーは、これらの材料に対して光吸収率が高く、熱影響を最小限に抑えた高精度なウエーハ切断（ダイシング）、スライシング、ビアホール加工を可能にすることから、EV（電気自動車）や次世代パワーエレクトロニクスの普及とともに、製造プロセスにおける標準光源としての地位を確立する可能性がある。

第三に、量子技術・先端計測分野への応用展開である。深紫外レーザーは、冷却原子、イオントラップ、量子ビットの状態制御など、量子コンピュータや量子センサー実現のための基盤技術として活用が期待されている。また、高輝度・狭線幅の深紫外レーザーを用いた精密分光や、半導体材料の欠陥評価（フォトルミネッセンスマッピング）など、研究開発段階から量産検査工程に至るまでの先端計測分野での需要拡大が見込まれる。

深紫外（DUV）レーザーの発展を阻害する3つの要因

第一に、光学部品の耐久性とコストの課題である。深紫外域では、通常の光学ガラス（石英ガラスを除く）の透過率が著しく低下するため、光学材料は合成石英やフッ化カルシウム（CaF₂）、フッ化マグネシウム（MgF₂）などに限定される。これらの材料は高価であり、かつ深紫外光の高エネルギー照射による光学損傷（コンパクション、ラプチャーなど）や、光学コーティングの劣化が生じやすい。特に高繰り返し・高出力で使用する場合、光学系の定期的な交換が避けられず、装置のランニングコストとメンテナンス負担の大きな要因となっている。

第二に、高コストな装置と導入障壁の高さである。深紫外レーザー、特にエキシマレーザーや高精度な全固体深紫外レーザーは、発振器本体、光学系、制御システム、冷却装置などを含め、装置単価が極めて高い。このため、その導入は主に半導体大手メーカーや特定の先端産業に限られており、中小規模の企業や新興分野における応用開発を阻害する要因となっている。また、装置の設置にはクリーンルーム環境や安定した電源・冷却設備が求められることも導入障壁を高めている。

第三に、代替技術（EUV露光、ナノインプリント、フェムト秒レーザーなど）との競合である。半導体露光分野では、先端ロジックにおいてEUV露光が量産化されており、今後、EUVの適用範囲が拡大すれば、ArF液浸露光装置向けの深紫外レーザー需要は長期的に縮小する可能性がある。また、微細加工分野においては、フェムト秒レーザーなど超短パルスレーザーが熱影響の極めて少ない加工を可能にすることから、用途によっては深紫外レーザーとの競合が生じている。
 
本記事は、QYResearch発行の「深紫外（DUV）レーザー―グローバル市場シェアとランキング、全体の売上と需要予測、2026～2032」を基に作成しています。
 
■レポートの詳細内容・お申込みはこちら
https://www.qyresearch.co.jp/reports/1628167/duv-lasers
 

 
 
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